磁控反应溅射法低温制备氮化硅薄膜

• 作者: 欧阳艳东 石旺舟 邱春文 陈雄文
• 来源期刊: 汕头大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 氮化硅薄膜 射频磁控反应溅射 红外吸收光谱
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 页码范围: 35-39
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2912字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-4217.2003.02.007

摘要

采用射频(RF)磁控反应溅射法制备出氮化硅薄膜.从红外吸收光谱可见,氮气参加了反应并生成Si-N键,薄膜中含有少量的Si-O键和Si-H键;薄膜的成分与制备过程中基片温度、射频功率等工艺参数密切相关,当基片温度升高到400℃时,薄膜中基本不再含Si-H键,氮化硅薄膜的纯度得到提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	欧阳艳东	汕头大学物理系	52	293	10.0	13.0
2	邱春文	汕头大学物理系	5	53	3.0	5.0
3	陈雄文	汕头大学物理系	2	66	2.0	2.0
4	石旺舟	上海华东师范大学物理系	1	27	1.0	1.0