栅氧击穿机理研究

• 作者: 徐政 缪海滨 郑若成
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 栅氧 击穿 多晶缓冲隔离 能带
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 设计与制造
• 页码范围: 32-35
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.4
• 字数: 3723字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2003.03.008

摘要

栅氧击穿不仅和栅氧质量相关,而且受前工序的影响很大.本文介绍了影响栅氧击穿的因素,如PBL隔离和腐蚀、电容结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑若成		20	44	4.0	5.0
2	徐政		14	17	3.0	3.0
3	缪海滨		2	5	1.0	2.0