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摘要:
真空微电子学是迅速发展的一门新学科,近年来国内外的研究已取得了一系列的成果.本文着重介绍了近两年真空微电子学在微尖性能提高、发射材料、阴极结构以及场致发射应用(主要是场发射显示器)等方面的最新进展.真空微电子学在场发射平面显示器件方面的研究已进入实用阶段,相信近几年在这方面的应用将会获得突破性的进展.
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内容分析
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文献信息
篇名 真空微电子学的研究和进展
来源期刊 电子器件 学科 工学
关键词 真空微电子学 场致发射 新材料 场发射显示器
年,卷(期) 2003,(4) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 428-433
页数 6页 分类号 TN48
字数 5471字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2003.04.025
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 王保平 东南大学电子工程系 70 304 9.0 13.0
2 雷威 东南大学电子工程系 89 538 12.0 18.0
3 张晓兵 东南大学电子工程系 87 746 13.0 24.0
4 刘敏 东南大学电子工程系 43 70 5.0 7.0
传播情况
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引文网络
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1997(1)
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2016(1)
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研究主题发展历程
节点文献
真空微电子学
场致发射
新材料
场发射显示器
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导