稀磁半导体研究进展

• 作者: 宋书林 陈诺夫
• 来源期刊: 金属材料研究
• 学科: 工学
• 关键词: 研究进展 稀磁半导体 离子注入 分子束外延法 居里温度
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 8-13
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.3

摘要

本文系统地概述了稀磁半导体的研究过程，介绍了材料的制备方式、性质特点、铁磁性起源的机理分析以及在器件方面的应用。通过与其它生长方式的对比，突出了材料制备过程中采用离子注入方式对稀磁半导体进行研究的特点。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋书林	中科院半导体所半导体材料科学重点实验室	1	0	0.0	0.0
2	陈诺夫	中科院半导体所半导体材料科学重点实验室	1	0	0.0	0.0