H2表面处理形成Al/n型6H-SiC欧姆接触及其退化机制

• 作者: 候永 洪根深 邬瑞彬 龚敏
• 来源期刊: 四川大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 6H-SiC 欧姆接触 氢化 退火 互扩散
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 488-491
• 页数: 4页
• 分类号: O472+.1|O485
• 字数: 2524字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0490-6756.2003.03.020

摘要

作者通过氢气表面热处理,获得了具有较好特性的Al/n-6H-SiC欧姆接触.在这种H2处理后的SiC表面,可以直接通过蒸铝(Al)形成欧姆接触,而无须进行退火处理.该方法也适用于低掺杂外延层上的欧姆接触.XPS测试表明,这种欧姆接触是在400℃以上的退化时,由Al及6H-SiC中的Si元素互扩散所致.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龚敏	四川大学物理系	109	372	10.0	12.0
2	邬瑞彬	四川大学物理系	3	20	2.0	3.0
3	候永	四川大学物理系	1	2	1.0	1.0
4	洪根深	四川大学物理系	2	12	2.0	2.0