畸变对hopping电导的影响:Thue-Morse纳米结构模型

• 作者: 丁建文 唐娜斯 缪智武 颜晓红
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Thue-Morse纳米结构链 重正化群方法 hopping电导 尺寸效应,界面效应
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 1213-1217
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 3680字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.05.033

摘要

发展实空间重正化群方法,研究了一维非周期Thue-Morse纳米结构链的hopping电导率.计算表明Thue-Morse纳米结构体系的晶粒种类、晶粒尺寸对hopping电导有显著的调制作用,界面结构和晶格畸变对hopping电导也有不同程度的影响.从无序度对hopping电导的影响来看,Thue-Morse纳米结构链的无序度介于Fibonacci链和周期链之间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	颜晓红	湘潭大学物理系	34	84	5.0	8.0
2	丁建文	湘潭大学物理系	24	67	5.0	7.0
3	唐娜斯	湘潭大学物理系	5	28	3.0	5.0