氨化反应自组装GaN纳米线

• 作者: 杨利 王显明 王翠梅 薛成山
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米Ga2O3薄膜 GaN纳米线 射频磁控溅射 氨化
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 684-687
• 页数: 4页
• 分类号: O782
• 字数: 2539字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2003.06.006

摘要

通过氨化射频溅射工艺生长的纳米Ga2O3薄膜, 在石英衬底上反应自组装生成了高质量的GaN纳米线. 用X射线衍射(XRD)、透射电镜(TEM)和高分辨电镜(HRTEM)对样品的组分、形貌和结构进行了分析. 生成的GaN纳米线平直光滑, 其直径为20～120 nm, 长可达50 μm; 纳米线为高质量的单晶六方纤锌矿GaN, 沿[110]方向生长. 用此工艺制备GaN纳米线, 简单新颖, 不需要模板或催化剂的辅助作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨利	山东师范大学半导体研究所	12	72	5.0	8.0
2	王翠梅	山东师范大学半导体研究所	4	18	2.0	4.0
6	薛成山	山东师范大学半导体研究所	117	476	11.0	13.0
7	王显明	山东师范大学半导体研究所	3	15	2.0	3.0