基于SiGe/Si的空穴型共振隧穿二极管

• 作者: 熊晨荣 王民生 王燕 罗广礼 陈培毅 黄文韬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 共振隧道二极管 SiGe/Si 势垒 量子阱 峰谷电流比
• 年，卷（期）: 2003,（z1）
• 页码范围: 128-131
• 页数: 4页
• 分类号: TN386
• 字数: 1425字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.z1.029

摘要

用GS400高真空外延设备制备了空穴型双势垒单势阱共振隧道二极管.常温(293K)直流测试数据为PVCR(峰谷电流比)=1.13,Jp(峰值电流)=1.589kA/cm2,对应的低温(77K)脉冲测试数据为PVCR=1.24,Jp=1.086kA/cm2.两种情况下,较低的PVCR可归结为GexSi1-x/Si异质结构本身的能级特性和热效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈培毅	清华大学微电子学研究所	52	245	10.0	12.0
2	王燕	清华大学微电子学研究所	55	351	8.0	17.0
3	黄文韬	清华大学微电子学研究所	12	43	5.0	6.0
4	罗广礼	清华大学微电子学研究所	8	57	5.0	7.0
5	王民生	清华大学微电子学研究所	3	19	2.0	3.0
6	熊晨荣	清华大学微电子学研究所	3	7	1.0	2.0