MOCVD生长InGaN/GaN MQW紫光LED

• 作者: 于彤军 任谦 张国义 李忠辉 杨华 杨志坚 章蓓 胡晓东 金春来 陆曙
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN 量子阱 紫光LED MOCVD
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 107-109
• 页数: 3页
• 分类号: O472.31
• 字数: 959字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.01.021

摘要

利用LP-MOCVD系统生长了InGaN/GaN MQW紫光LED外延片,双晶X射线衍射测试获得了2级卫星峰,室温光致发光谱的峰值波长为399.5nm,FWHM为15.5nm,波长均匀性良好.制成的LED管芯,正向电流20mA时,工作电压在4V以下.