MgZnO/ZnO异质结构的发光性质研究

• 作者: 刘益春 吕有明 吴春霞 张吉英 李炳辉 申德振 范希武 赵东旭
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO/MgZnO异质结构 P-MBE 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 页码范围: 550-554
• 页数: 5页
• 分类号: O782.9|O766.3
• 字数: 3001字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.06.003

摘要

本文利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)技术在蓝宝石 (Al2O3) 衬底上生长了Mg0.12Zn0.88O(100nm)/ZnO (20nm) /Mg0.12Zn0.88O (40nm) 异质结构,测得样品的X射线衍射谱表明,在34.56°的位置出现很强的(002)方向衍射峰,其半高宽度为0.20°,比Mg0.12Zn0.88O合金薄膜的半高宽度0.15°明显展宽.通过光致发光谱研究了MgZnO/ZnO/MgZnO异质结构的光学性质,室温下测得在370nm(3.35eV)位置有很强的紫外发光,而在348nm (3.56eV)的位置处有一个较弱的发光,这两个峰分别被归结于来自ZnO层和MgZnO盖层的发光.室温下的吸收光谱中,在上述两个峰的位置附近分别存在很明显的吸收,指示了带边吸收来自于MgZnO和ZnO两种材料.通过变温发光谱研究了异质结构中载流子弛豫、复合的规律.随着温度增加,来自于ZnO层和MgZnO层的发光强度比增加,这归结为MgZnO/ZnO异质结构存在界面势垒所致.