直流反应磁控溅射生长p型ZnO薄膜及其特性的研究

• 作者: 叶志镇 吕建国 张银珠 汪雷 赵炳辉 陈汉鸿
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: N掺杂ZnO薄膜 p型传导 直流反应磁控溅射
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 5-8
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+1
• 字数: 2807字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2003.01.002

摘要

本文报道了利用直流反应磁控技术生长p型ZnO薄膜.ZnO薄膜在不同的衬底温度沉积于α-Al2O3(0001)衬底上,生长气氛为NH3-O2中.利用X射线衍射、Hall试验和透射光谱对其性能进行研究,结果表明,ZnO薄膜为高度c轴取向,在500 ℃的衬底温度下具有很好的结晶性能,而且,该温度下ZnO还实现了p型转变,电阻率为103 Ω*cm,载流子浓度1015cm-3,Hall迁移率3.4 cm2/(V*s).这是利用溅射技术首次制备出p-ZnO薄膜.实验还表明p-ZnO薄膜在可见光区域具有90%的高透射率,室温下光学带宽约为3.21 eV.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	叶志镇	浙江大学硅材料国家重点实验室	155	1638	21.0	35.0
2	张银珠	浙江大学硅材料国家重点实验室	21	434	9.0	20.0
3	赵炳辉	浙江大学硅材料国家重点实验室	74	719	14.0	24.0
4	汪雷	浙江大学硅材料国家重点实验室	41	646	13.0	25.0
5	吕建国	浙江大学硅材料国家重点实验室	35	769	12.0	27.0
6	陈汉鸿	浙江大学硅材料国家重点实验室	6	252	5.0	6.0