P型掺杂对AlGaInP双异质结发光二极管的Al组分确定的影响

• 作者: 刘鲁 范广涵 陈练辉 陈贵楚
• 来源期刊: 华南师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaInP 发光二极管(LED) Al组分 掺杂
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 页码范围: 64-68,79
• 页数: 6页
• 分类号: TN209
• 字数: 2433字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-5463.2003.03.012

摘要

在双异质结发光二极管(DH-LED)实际材料生长过程中,它的限制层的Al组分的确定有较大的随意性. 在不同的P型掺杂程度下,通过分析载流子在双异质结中的输运及受约束情况,从理论上剖析了限制层Al组分分别对应确定为一个最合适的取值,此时有源层中的载流子应有一个最大数量的复合, LED的复合效率最高. 从而可以探索P型掺杂对限制层Al组分确定的影响的规律,并得到一个较合适的掺杂浓度. 这对于器件结构设计以及相关的金属有机化合物气相沉积(MOCVD)材料生长有一定的指导意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	范广涵	华南师范大学光电子材料与技术研究所	147	1064	16.0	26.0
2	陈贵楚	华南师范大学光电子材料与技术研究所	18	46	5.0	6.0
3	陈练辉	华南师范大学光电子材料与技术研究所	11	27	3.0	4.0
4	刘鲁	华南师范大学光电子材料与技术研究所	5	19	3.0	4.0