氕氘在锆膜中的分布

• 作者: 张晓红 张涛 彭述明 梁建华 龙兴贵
• 来源期刊: 同位素
• 学科: 工学
• 关键词: 锆膜 氕 氘 二次离子质谱 深度剖析 成像
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 151-154
• 页数: 4页
• 分类号: TL93
• 字数: 1525字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-7512.2003.03.006

摘要

电阻蒸发制备的锆膜氢化后,利用二次离子质谱(SIMS)对其进行了深度剖析与成像分析,结果表明氕与氘在锆膜深度分布均匀,在过渡层中呈递减分布,并消失于过渡层与衬底的交界处.锆膜在n(H):n(D)=0.82的气氛中氢化时,会因同位素效应而使氕氘化锆膜中氕的含量高于氘的含量.锆膜表面若有铝、铁、钾以及钠等元素的污染时,会造成表面氕与氘分布不均匀,氕与氘的不均匀分布分别与铝及锆的不均匀分布有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	龙兴贵	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	123	496	10.0	16.0
2	彭述明	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	97	341	10.0	14.0
3	梁建华	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	30	63	4.0	5.0
4	张晓红	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	23	51	3.0	7.0
5	张涛	中国工程物理研究院核物理与化学研究所	17	55	4.0	7.0