质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究

• 作者: 何力 李志锋 沈学础 胡晓宁 蔡炜颖 陆卫 陈贵宾
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: I-V特性 碲镉汞薄膜 质子注入 p-n结
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1496-1499
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 2393字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.06.035

摘要

基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元(500μm×500μm)的n-on-p结构的p-n结,并对相应的p-n结的电流-电压(I-V)特性进行了研究.质子注入剂量为2×1015cm-2时R0A达312.5Ω*cm2,低温热处理后达490Ω*cm2.