多孔硅外延转移技术制备以氮化硅为绝缘埋层的SOI新结构

• 作者: 刘卫丽 林成鲁 林青 沈勤我 谢欣云 门传玲
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化硅薄膜 SOI结构 多孔硅外延转移
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 189-193
• 页数: 5页
• 分类号: TB383
• 字数: 2398字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.016

摘要

为减少自加热效应,利用多孔硅外延转移技术成功地制备出一种以氮化硅为埋层的SOI新结构.高分辨率透射电镜和扩展电阻测试结果表明得到的SOI新结构具有很好的结构和电学性能,退火后的氮化硅埋层为非晶结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘卫丽	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	14	52	4.0	6.0
2	门传玲	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	8	68	6.0	8.0
3	谢欣云	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	7	33	4.0	5.0
4	林青	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	10	89	6.0	9.0
5	沈勤我	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	12	41	3.0	5.0