半导体金属氧化物气敏材料敏感机理概述

• 作者: 宋文会 常剑 蒋登高 詹自力
• 来源期刊: 传感器世界
• 学科: 工学
• 关键词: 气敏机理 半导体金属氧化物
• 年，卷（期）: 2003,（8）
• 所属期刊栏目: 技术应用
• 页码范围: 14-18
• 页数: 5页
• 分类号: TP212.2
• 字数: 3689字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-883X.2003.08.003

摘要

本文结合半导体金属氧化物的电学特性,从气体分子与半导体金属氧化物气敏材料相互作用的角度出发,对其气敏机理作一概述.由于半导体金属氧化物气敏机理与氧存在密切相关,因而从表面吸附、催化氧化反应的角度研究气敏机理对研究反应机理、提高气敏性能、开发新型气敏材料和掺杂剂有着重要的意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋文会	郑州大学化工学院	2	93	1.0	2.0
2	詹自力	郑州大学化工学院	46	368	10.0	17.0
3	蒋登高	郑州大学教务处	210	1824	20.0	28.0
4	常剑	河南省郑州市文化路97号郑州大学工学院	1	92	1.0	1.0