平膜型磁性隧道结中自旋极化电子的隧穿输运和隧穿磁电阻效应的研究进展

• 作者: 李伯臧 谢征微
• 来源期刊: 金属材料研究
• 学科: 物理学
• 关键词: 磁电阻 隧穿磁电阻 磁性隧道结 自旋极化电子 自旋极化电子隧穿输运
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 30-43
• 页数: 14页
• 分类号: O482.5

摘要

众所周知，平膜型磁性隧道结（MTJ）很有希望被用做磁电阻元件，而自旋极化电子的隧穿输运（SPETT）又是一种新型的基本量子效应，因此，发生于MTJ中的SPETT，特别是隧穿磁电阻（TMR），近年来颇受关注。本文是关于对其研究的进展的一个简短评述。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李伯臧		13	28	3.0	5.0
2	谢征微		4	18	2.0	4.0