一次烧成SiC边界层陶瓷电容器性能研究

• 作者: 付元忠 张锐 王海龙 王西科
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 边界层电容器 介电常数 一次烧成
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 电子陶瓷
• 页码范围: 9-10,14
• 页数: 3页
• 分类号: TM534+.1
• 字数: 2306字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.09.004

摘要

选用导热性能优良、半导化的(-SiC作为边界层电容器基体材料,利用氧化铝、滑石、粘土和长石组成的低共熔混合物作为晶界绝缘材料,通过常压一次烧结工艺制备边界层陶瓷电容器.烧成温度范围为1 280~1 320℃,最高温度下保温4 h.获得的边界层电容器电阻率大于1010 Ω@cm,在50 Hz频率下相对介电常数εr为260,介质损耗tgδ为1.27×10-4,两者均随频率的增大而减小.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王海龙	郑州大学北校区材料工程学院	71	586	15.0	20.0
2	张锐	郑州大学北校区材料工程学院	142	1144	18.0	24.0
3	王西科	郑州大学北校区材料工程学院	20	140	7.0	11.0
4	付元忠	郑州大学北校区材料工程学院	3	11	1.0	3.0