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摘要:
本文全面深入地介绍了PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列(PtSi-SBIRFPA)的技术进展及市场前景.从制作技术、像元集成度、NETD、光响应均匀性、量子效率、成品率和成本方面把PtSi单片式红外焦平面陈列(PtSi-MIRFPA)与InSb和HgCdTe混合式红外焦平面阵列(InSb和HgCdTeHIRFPA)技术作了详细的比较,评述了PtSi-MIRFPA技术的发展现状和面临的现实,分析了PtSi-MIRFPA技术的应用范围,目前的市场状况和今后的技术前景。
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文献信息
篇名 国外PtSi-SBIRFPA的技术进展及市场前景
来源期刊 四川真空 学科 工学
关键词 PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列 PtSi-SBIRFPA 红外探测器 红外辐射信号 像素 响应
年,卷(期) sczkb_2003,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 45-55
页数 11页 分类号 TN215
字数 语种
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2003(0)
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研究主题发展历程
节点文献
PtSi肖特基势垒红外焦平面阵列
PtSi-SBIRFPA
红外探测器
红外辐射信号
像素
响应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
四川真空
半年刊
成都市第109信箱207分箱
出版文献量(篇)
395
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