单次电针预处理诱导大鼠局灶性脑缺血耐受的时程

• 作者: 刘剑波 刘艳红 张宏亮 张民 熊利泽 王伯云 王强
• 来源期刊: 中华麻醉学杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 电针 缺血预处理 脑缺血 再灌注损伤
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 实验研究
• 页码范围: 355-357
• 页数: 3页
• 分类号: R318
• 字数: 2761字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/j.issn:0254-1416.2003.05.009

摘要

目的探讨单次电针预处理能否诱导局灶性脑缺血耐受及其时程.方法48只健康雄性SD大鼠(280～320g),随机分为6组(n=8):对照组和电针1～5组(EA1～5).对照组未行任何预处理;电针1～5组分别在电针刺激百会穴30min后0.5、1、2、3和24h给予局灶性脑缺血.采用颈内动脉尼龙线线栓法致大脑中动脉栓塞(120 min)模型,观察再灌注后24 h时神经功能损害并取大脑行TTC染色以测量脑梗死容积.结果术后动物均存活.电针刺激百会穴30 min后2 h和24 h给予局灶性脑缺血,再灌注24 h时神经功能缺陷评分明显低于对照组(P＜0.05),脑梗死容积明显小于对照组(P＜0.01),其它时间点与对照组差异无显著性.结论单次电针刺激百会穴30min,可诱导双相大脑局灶性缺血耐受,即急性缺血耐受出现在预处理后2 h,延迟缺血耐受出现在预处理后24 h.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王强	第四军医大学西京医院麻醉科	153	1071	17.0	24.0
2	熊利泽	第四军医大学西京医院麻醉科	329	2888	26.0	40.0
3	张民		2	49	2.0	2.0
4	刘剑波		2	49	2.0	2.0
5	张宏亮		2	49	2.0	2.0
6	王伯云		2	49	2.0	2.0
7	刘艳红	第四军医大学西京医院麻醉科	11	165	7.0	11.0