氩气对多晶硅刻蚀的影响

• 作者: 汪建华 陈永生
• 来源期刊: 表面技术
• 学科: 工学
• 关键词: 电子回旋共振 多晶硅 刻蚀
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 试验研究
• 页码范围: 19-22
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2824字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-3660.2003.02.006

摘要

报道了用CF4和氩气Ar作为工作气体的ECR反应离子刻蚀多晶硅(poly-Si)技术.研究了Ar气含量的变化对刻蚀速率和各向异性的影响,并对实验结果进行了分析.实验中气压为0.5Pa,混合气体中流量保持50sccm(1cm3/min standard cubic centimeter/minute),Ar气含量在0～50%范围内变化,对应的刻蚀速率在46～10sccm范围内.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	汪建华	武汉化工学院等离子体化学与新材料重点实验室	57	613	12.0	20.0
2	陈永生	武汉化工学院等离子体化学与新材料重点实验室	2	16	2.0	2.0