目的:应用原子力显微镜检查术(atomic force microscopy, AFM)对电磁脉冲辐照前后培养的下丘脑神经细胞膜进行观察,以探讨电磁脉冲对其细胞膜影响的直接证据.方法:对新生的Wistar乳大鼠下丘脑神经细胞在6孔板中进行原代培养,在培养14d时,用高场强电磁脉冲模拟源(场强为6×104 V/m,脉冲上升时间20ns,脉宽30μs)以2.5次/min,辐照2min.辐照后即刻固定细胞,应用AFM对细胞表面进行接触式连续扫描.结果:电磁脉冲辐照后即刻就可引起下丘脑神经细胞膜表面大小不一、深度不同、类圆形和不规则形的穿孔,穿孔最大直径为273.21~330.10nm,深度达13.57nm.结论:电磁脉冲辐照后可直接导致下丘脑神经元细胞膜的穿孔,提示其可能是电磁脉冲生物效应的损伤机制之一.