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摘要:
提出了一种直接提取GaInP/GaAs异质结双极晶体管(HBT)小信号模型参数的新方法.该方法基于HBT器件S参数的测试数据,对HBT的小信号模型进行电路网络分析,利用S,Z,Y参数关系以及电路"抽出"的技巧,分别对HBT小信号模型的寄生参数和本征元件参数进行提取,建立了一套完整的直接提取HBT小信号模型参数的新方法.与文献报道HBT小信号模型参数提取的方法相比,该方法的优点是,提取过程具有简明清晰的物理意义,无需建立特殊的测试结构,无需引入繁琐的数学优化过程,提取速度快,并且具有比较好的精度和较宽频带范围的适用性等.
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文献信息
篇名 GaInP/GaAs异质结双极晶体管小信号模型参数提取的新方法
来源期刊 物理学报 学科 物理学
关键词 GaInP/GaAs HBT 参数提取 小信号模型
年,卷(期) 2003,(9) 所属期刊栏目 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
研究方向 页码范围 2298-2303
页数 6页 分类号 O4
字数 2760字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.09.038
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙晓玮 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 97 828 16.0 23.0
2 李征帆 上海交通大学电子工程系 83 533 13.0 18.0
3 刘海文 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 12 94 6.0 9.0
7 程知群 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 16 111 6.0 10.0
8 车延峰 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 1 9 1.0 1.0
传播情况
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研究主题发展历程
节点文献
GaInP/GaAs HBT
参数提取
小信号模型
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
chi
出版文献量(篇)
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