X射线光刻掩模后烘过程的瞬态热分析

• 作者: 余建祖 余雷 王永坤 陈大鹏
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 有限元 掩模 X射线光刻 后烘烤 温度分布
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 光子束技术
• 页码范围: 34-39
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2467字
• 语种: 中文

摘要

X射线光刻掩模是下一代光刻技术(NGL)中的X射线光刻技术的关键技术难点。在电子束直写后的掩模后烘过程中，掩模表面的温度场分布及温升的均匀性是影响掩模关键尺寸(CD)控制的重要因素，如果控制不当，会造成掩模表面的光刻胶烘烤不均匀，使掩模吸收体CD分布变坏。针对电子束直写后X射线光刻掩模的后烘过程建立了热模型，并采用有限元技术进行了瞬态温度场的计算。计算结果表明：采用背面后烘方式，在达到稳态时出现高温区和低温区，最大温差为10．19℃，容易造成光刻胶局部烘烤过度，而采用正面后烘方式，掩模达到稳态的时间短，温度分布均匀，烘烤效果好。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈大鹏	中国科学院微电子中心	79	466	10.0	17.0
2	王永坤		10	33	4.0	5.0
3	余建祖		61	336	10.0	16.0
4	余雷		6	11	3.0	3.0