中性原子的磁囚禁技术及其最新发展与应用

• 作者: 印建平 胡建军
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 中性原子 磁囚禁技术 玻色-爱因斯坦凝聚 原子芯片
• 年，卷（期）: 2003,（3）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 257-268
• 页数: 12页
• 分类号: O562
• 字数: 7418字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2003.03.001

摘要

本文就近二十年来国际上用于三维限制中性原子运动的磁囚禁原理、方案、特点及其最新发展进行了系统介绍与综述.根据构成磁阱的装置大小、磁场特征以及产生磁场方式的不同,可以将囚禁原子的各种磁阱分为宏观静磁囚禁、微观静磁囚禁和微波或交流磁囚禁三大类.最后,文章简单介绍了中性原子磁囚禁技术在玻色-爱因斯坦凝聚(BEC)和原子芯片中的最新应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	胡建军	苏州大学物理系	11	27	3.0	5.0