SiOP介质膜及其对InGaAsP/InP量子阱激光结构混合无序的影响

• 作者: 刘明成 李彦 杨格丹 王永晨 赵杰
• 来源期刊: 天津师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: PECVD 量子阱混合QWI 电介质薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 页码范围: 36-39
• 页数: 4页
• 分类号: TN365
• 字数: 2605字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-1114.2003.04.010

摘要

用等离子体增强化学沉积(PECVD)方法制备了一种新的电介质薄膜-SiOP,用X射线光电子谱(XPS)和光荧光(PL)研究了膜的结构及膜对1.55μm InGaAsP/InP量子阱激光结构带隙的影响.XPS分析表明,该膜中存在Si-O和P-O键,P(2p)态键能为134.6 eV.PL测量首次获得223.6 meV的最大带隙蓝移.该技术在光子集成和光电子集成电路(PIC's,OEIC's)中有广泛的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵杰	天津师范大学物理与电子信息学院	40	171	8.0	11.0
2	李彦	天津师范大学物理与电子信息学院	17	85	4.0	8.0
3	刘明成	天津师范大学物理与电子信息学院	12	53	5.0	7.0
4	王永晨	天津师范大学物理与电子信息学院	16	24	3.0	4.0
5	杨格丹	天津师范大学物理与电子信息学院	4	4	1.0	1.0