碳化硅泡沫陶瓷烧结温度和烧结机理的研究

• 作者: 刘岩 姚秀敏 江东亮 黄政仁
• 来源期刊: 陶瓷科学与艺术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 泡沫陶瓷 烧结温度 烧结机理
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 页码范围: 28-30
• 页数: 3页
• 分类号: TQ174
• 字数: 1629字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-7643.2003.05.006

摘要

将制备碳化硅泡沫陶瓷的浆料通过烘干、制粉、干压成型、烧结来探讨烧结温度对制品性能的影响.试验结果表明样品的最高抗弯强度出现在1400℃、保温2h的工艺条件下,而不是更高的烧结温度1450℃.主要原因在于过高的烧结温度导致碳化硅氧化严重,生成了大量的方石英,方石英在随后的冷却过程中出现微裂纹所致.而碳化硅泡沫陶瓷的烧结机理主要是玻璃相对碳化硅颗粒的包覆、连接作用和新相莫来石的生成.