Na掺杂对ZnO压敏材料电学性能的影响

• 作者: 亓鹏 王文新 王春明 王矜奉 臧国忠 苏文斌 陈洪存
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 氧化锌 压敏材料 钠掺杂 势垒 晶界
• 年，卷（期）: 2003,（9）
• 所属期刊栏目: 敏感元器件
• 页码范围: 17-18,21
• 页数: 3页
• 分类号: TN379
• 字数: 1643字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2003.09.007

摘要

研究了Na2CO3对ZnO压敏材料电学性能的影响.当掺入的Na2CO3之摩尔分数x从0增加到0.2%时,ZnO压敏材料的击穿电压从209 V/mm增加到934 V/mm,1 kHz时的相对介电常数从1 158降到57.晶界势垒高度测量表明:在实验范围内,Na对势垒高度的影响较小.ZnO晶粒的变小是压敏电压急剧升高和介电常数减小的主要原因.对Na2CO3掺杂量的增加引起ZnO晶粒减小的原因进行了解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王矜奉	山东大学物理与微电子学院	64	562	13.0	20.0
2	陈洪存	山东大学物理与微电子学院	40	335	12.0	15.0
3	亓鹏	山东大学物理与微电子学院	13	107	7.0	10.0
4	王春明	山东大学物理与微电子学院	14	140	7.0	11.0
5	苏文斌	山东大学物理与微电子学院	27	203	10.0	13.0
6	臧国忠	山东大学物理与微电子学院	16	145	8.0	11.0
7	王文新	山东大学物理与微电子学院	9	70	5.0	8.0