SOI光开关速度和损耗的研究

• 作者: 余金中 李艳萍 王小龙 陈媛媛
• 来源期刊: 光子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 光开关 SOI 速度 损耗
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 15-19
• 页数: 5页
• 分类号: TN2
• 字数: 4634字
• 语种: 中文

摘要

速度和损耗是光开关的两项重要特性指标.文章在介绍SOI热光型和电光型开关工作原理的基础上,分析了波导层和埋层二氧化硅厚度、电极材料、载流子寿命以及掺杂、界面质量、模式失配度和对准性等等因素对于速度和损耗的影响,并相应的提出了一些改善方案.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈媛媛	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	22	263	8.0	16.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
3	王小龙	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	21	122	5.0	10.0
4	李艳萍	中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室	3	10	2.0	3.0