碳离子束辐照拟南芥介导外源基因转移的研究

• 作者: 吕刚 杜广华 毛盛勣 王宇钢 薛建明 袁世斌 覃怀莉 赖江南 赵渭江 顾红雅 颜莎
• 来源期刊: 激光生物学报
• 学科: 生物学
• 关键词: 碳离子束 辐照损伤 拟南芥 转基因
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 离子束生物工程
• 页码范围: 326-331
• 页数: 6页
• 分类号: Q691.5|Q7
• 字数: 3665字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-7146.2003.05.003

摘要

采用700keV或4.0 MeV碳离子束辐照拟南芥种子, 通过对样品的显微摄影, 发现随着辐照剂量的增加, 碳离子束对种子表面的损伤逐渐加剧, 特别是在4.0 MeV碳离子束辐照下, 当剂量达到1×1014ions*cm-2后, 种皮局部逐渐被刻蚀殆尽, 甚至造成种皮局部破裂.对拟南芥种子进行台盼蓝染色后的显微观测显示, 碳离子束辐照可以导致拟南芥种皮细胞着染, 在剂量较大的情况下, 部分皮下细胞也可着染, 表明碳离子束可作用到皮下细胞, 为外源基因提供导入的通道. GUS基因导入后的组织化学检测表明:质粒pCAMBIA1301能够进入4.0MeV碳离子束辐照后的拟南芥种子, 并在种子和幼芽中获得瞬间表达.