新颖的IGBT等效电路模型及参数提取和验证

• 作者: 刘君华 朱长纯 袁寿财
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: IGBT vDMOS Spice 模型 模拟 等效电路
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 5-9
• 页数: 5页
• 分类号: TN32
• 字数: 2556字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2003.01.002

摘要

以Spice电路模拟的IGBT(绝缘栅双极晶体管)等效电路优化模型,用压控电阻(VCR)等效IGBT的宽基区电导调制效应取得了很好的效果.基于器件的参数实测值,通过物理方程式,精确推导出器件的主要原始设计参数.用Spice的LEvEL-8模型,以确保模型的精确性和收敛性,从而获得模拟与实验很好符合的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘君华	西安交通大学电子与信息学院	224	3216	28.0	45.0
2	朱长纯	西安交通大学电子与信息学院	215	2372	22.0	41.0
3	袁寿财	西安交通大学电子与信息学院	15	174	7.0	13.0