GaAs纳米颗粒镶嵌薄膜的制备及光电子能谱研究

• 作者: 吴雪梅 姚伟国 沈学础 王少伟 陆卫 陈贵宾
• 来源期刊: 淮阴师范学院学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体纳米颗粒 磁控共溅射 光电子能谱 复合薄膜
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 24-27
• 页数: 4页
• 分类号: TB383|TN201
• 字数: 2550字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-6876.2003.01.006

摘要

采用射频磁控共溅射技术成功制备GaAs半导体纳米颗粒镶嵌薄膜,GaAs在薄膜中所占分子百分比达19.0%.光电子能谱分析表明随着基片温度升高,薄膜中元素Ga、As的被氧化程度有所增强,但元素Ga、As仍主要以化合物半导体GaAs的形式,元素Si、O主要以SiO2分子的形式存在于复合薄膜中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴雪梅	苏州大学物理系	72	331	9.0	13.0
2	姚伟国	苏州大学物理系	21	66	4.0	6.0
3	陈贵宾		18	47	4.0	5.0
5	陆卫		4	29	2.0	4.0
8	王少伟		1	2	1.0	1.0