GaN材料键合技术研究进展

• 作者: 唐昕龙 袁志军 邢启江 高文胜
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 外延片键合 光电子集成
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 动态综述
• 页码范围: 377-381
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 4825字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2003.06.001

摘要

GaN材料及其有关光电子器件的研制是近年来光电子研究领域内的研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺.利用键合技术也可以研制出一些新型的光电子器件,这些器件用其他生长技术是不可能实现的.概括地介绍了近年来键合技术在GaN光电子器件及其集成领域内的研究进展和应用情况.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁志军	北京大学物理学院	2	7	2.0	2.0
2	高文胜	北京大学物理学院	2	7	2.0	2.0
3	唐昕龙	北京大学物理学院	1	5	1.0	1.0
4	邢启江	北京大学物理学院	6	9	2.0	2.0