p型GaN材料的表面物理特性

• 作者: 孙长征 罗毅 薛松 郝智彪 郭文平 韩彦军
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: p-GaN 表面处理 XPS AES
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1280-1284
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2947字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.12.010

摘要

运用X射线光电子能谱(XPS)和俄歇电子能谱(AES)等表面分析手段对表面状态不同的p-GaN样品进行了分析.在样品表面制作了Ni/Au电极并进行了I-V特性测试.实验结果表明样品表面镓氮元素化学比(Ga/N)的减小以及C,O杂质含量的减少可以改善电极的欧姆接触性能.