磁控溅射制备不同组分La-Ni-O薄膜的研究

• 作者: 褚君浩 赵强
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: LaNiO3薄膜 导电性 晶格常数
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 687-689
• 页数: 3页
• 分类号: TM223
• 字数: 2097字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2003.06.029

摘要

采用组合靶,利用射频磁控溅射在260℃的(111)Si片上面制备了不同Ni、La含量比的La-Ni-O薄膜.测试分析结果表明,在La含量较高时,薄膜为无定型结构,并且具有较大的电阻率.当Ni和La含量比＞1∶1.44后,薄膜具有(100)择优取向的赝立方钙钛矿结构,同时具有金属导电特性.随着La过量的减少,晶面间距和面电阻都减小的很快,在Ni和La比例达到1∶1时,电阻率达到了最小值6.4Ω*μm,晶面间距也达到最小值0.389nm.随着Ni过量的增加,晶面间距和面电阻又逐步增大.在Ni过量较多时导致了NiO相和LNO(110)取向的出现.在晶面间距相同时,相对于La,Ni含量的过剩对薄膜导电性能具有较大的影响.文中对实验现象从LaNiO3薄膜的导电机理出发给出了比较合理的解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	褚君浩	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	103	650	13.0	22.0
2	赵强	华东师范大学物理系	78	651	14.0	21.0