YVO4双折射晶体生长及完整性分析

• 作者: 刘景和 王英伟 程灏波
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: YVO4晶体 提拉法 晶体缺陷
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 页码范围: 41-43
• 页数: 3页
• 分类号: O782.5
• 字数: 2087字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2003.01.010

摘要

在较低氧分压的保护气氛中用提拉法(CZ法)生长YVO4晶体,采用自行设计的气压计,精密调节炉内的氧、氮比例,有效防止了晶体生长中的过度缺氧,生长出33mm×31mm(等径)YVO4晶体.设计了生长YVO4晶体最佳工艺条件:转速5～10r/min,拉速:2～6mm/h,生长周期:24h,液面上8mm温度梯度2.875℃/mm.用偏光显微镜对YVO4晶体的裂纹、散射颗粒、包裹物、偏心生长等缺陷进行观察,认为它们的成因主要是生长速率过快,生长环境中湿度大及晶体中存在分解和挥发性物质等.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘景和		134	714	13.0	18.0
2	程灏波	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	5	57	4.0	5.0
3	王英伟		26	291	11.0	16.0