TIGBT的稳态和瞬态模型

• 作者: 张莉 田立林 鲁耀华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: TIGBT 稳态模型 瞬态模型 缓冲层 积累层
• 年，卷（期）: 2003,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 743-747
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 3135字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.07.013

摘要

从沟槽绝缘栅双极晶体管(TIGBT)的物理结构出发,提出了TIGBT的稳态模型和瞬态模型.该模型不仅考虑了槽底电子积累层引起的基区电导调制作用增强效应,而且还考虑到缓冲层对器件性能的影响.通过与器件模拟结果的比较,表明该模型能准确地描述TIGBT稳态和瞬态时的物理特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张莉	清华大学微电子学研究所	36	242	8.0	15.0
2	田立林	清华大学微电子学研究所	31	116	6.0	8.0
3	鲁耀华	清华大学微电子学研究所	2	3	1.0	1.0