周期顺序蒸发工艺生长的Cu(In,Ga)Se2薄膜结构

• 作者: 刘洪图 徐传明 徐军 杨晓杰 许小亮 闵海军 黄文浩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CIGS 有序缺陷化合物 择优生长 表面自发分解
• 年，卷（期）: 2003,（10）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1057-1062
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4+2|TN304.2+6
• 字数: 4960字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.10.011

摘要

采用新颖的周期顺序蒸发和真空硒化退火工艺生长出p型CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜.通过XPS谱、Raman谱、XRD谱分析了预生长层以及硒化后的CuIn0.7Ga0.3Se2薄膜,对四元化合物Cu(In,Ga)Se2的Raman谱进行了讨论,并观察到Ga对A1模式峰位的移动影响,同时发现薄膜倾向于沿(112)晶面生长,薄膜贫Cu会加剧(220)/(204)表面自发分解成{112}小晶面.研究表明,薄膜具有良好的电学特性和结构特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐军	中国科学技术大学物理系	290	2418	22.0	34.0
2	黄文浩	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	88	768	14.0	23.0
3	许小亮	中国科学技术大学结构分析重点实验室	45	402	12.0	18.0
7	徐传明	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	5	58	4.0	5.0
11	杨晓杰	中国科学技术大学物理系	8	76	4.0	8.0
12	闵海军	中国科学技术大学物理系	1	16	1.0	1.0