深亚微米工艺下互连线串扰问题的研究与进展

• 作者: 洪先龙 蔡懿慈 赵鑫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 互连线串扰 串扰噪声 Keff模型 RLC精确噪声模型
• 年，卷（期）: 2003,（11）
• 所属期刊栏目: 综述
• 页码范围: 1121-1129
• 页数: 9页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 971字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.11.001

摘要

集成电路工艺发展到深亚微米技术后,互连线串扰问题变得越来越严重,尤其在千兆赫兹的设计中,耦合电感的影响不能忽略.插入屏蔽的操作成为减小耦合电感噪声的有效方法.文中首先介绍共面、微带状线和带状线三种互连结构下的电感耦合特性,然后分别介绍了基于共面互连结构的用于计算互连线噪声的Keff模型和RLC精确噪声模型.实验表明两种模型都有很高的精确度,在解决互连线串扰的物理设计中有广泛的应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	洪先龙	清华大学计算机科学与技术系	114	410	9.0	11.0
2	蔡懿慈	清华大学计算机科学与技术系	68	273	8.0	11.0
3	赵鑫	清华大学计算机科学与技术系	7	10	2.0	2.0