SOI传感器的现状和发展趋势

• 作者: 刘光辉 卢为 周真 海涛
• 来源期刊: 传感器技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅氧化物绝缘体 传感器 微电子机械系统
• 年，卷（期）: 2003,（5）
• 所属期刊栏目: 前沿技术
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TP212
• 字数: 4408字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-9787.2003.05.023

摘要

SOI传感器具有耐高温、抗辐射、易于批量生产等优点.目前已开发出力学传感器、化学传感器、光传感器和磁传感器等新产品.介绍了SOI晶片的种类,SOI晶片在传感器和MEMS中应用的特点、SOI传感器的典型产品以及发展趋势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周真	哈尔滨理工大学测量技术与通讯工程学院	83	523	12.0	18.0
2	刘光辉	中国电子科技集团公司第四十九研究所	2	59	2.0	2.0
3	海涛	中国电子科技集团公司第四十九研究所	3	14	2.0	3.0
4	卢为	哈尔滨理工大学测量技术与通讯工程学院	2	12	1.0	2.0