GaAs衬底厚度对发光二极管稳定性的影响

• 作者: 于永芹 任忠祥 周海龙 尉吉勇 张晓阳 李树强 潘教青 秦晓燕 陈文澜 黄柏标 齐云
• 来源期刊: 量子电子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 稳定性 发光二极管 厚度
• 年，卷（期）: 2003,（1）
• 所属期刊栏目: 简讯
• 页码范围: 125-128
• 页数: 4页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 2532字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.025

摘要

在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果.由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高A1GaInP LED的器件的稳定性.