双异质外延SOI材料Si/γ-Al2O3/Si的外延生长

• 作者: 林兰英 王俊 王启元 王建华 谭利文 邓惠芳 郁元桓
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SOI MOCVD 双异质外延 Si/γ-Al2O3/Si
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1289-1292
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2275字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.12.012

摘要

利用MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技术在Si(100)衬底上成功地制备了双异质Si/γ-Al2O3/Si SOI材料.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)及俄歇能谱(AES)对材料进行了表征.测试结果表明,外延生长的γ-Al2O3和Si薄膜都是单晶薄膜,其结晶取向为(100)方向,外延层中Al与O化学配比为2:3.同时,γ-A12O3外延层具有良好的绝缘性能,其介电常数为8.3,击穿场强为2.5MV/cm.AES的结果表明,Si/γ-Al2O3/Si双异质外延SOI材料两个异质界面陡峭清晰.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王俊	中国科学院半导体研究所材料科学中心	130	1155	16.0	27.0
2	王建华	中国科学院半导体研究所材料科学中心	122	2608	27.0	48.0
3	林兰英	中国科学院半导体研究所材料科学中心	33	145	7.0	10.0
4	王启元	中国科学院半导体研究所材料科学中心	10	77	4.0	8.0
5	郁元桓	中国科学院半导体研究所材料科学中心	5	14	3.0	3.0
6	谭利文	中国科学院半导体研究所材料科学中心	3	11	2.0	3.0
7	邓惠芳	中国科学院半导体研究所材料科学中心	2	10	2.0	2.0