LP-MOCVD生长(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱的激子发光研究

• 作者: 刘益春 单崇新 吕有明 张吉英 张振中 王晓华 申德振 范希武
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 复合量子阱 隧穿几率 光致发光
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 371-374
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3|O482.31
• 字数: 1877字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2003.04.010

摘要

用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构.测量了生长样品的光致发光 (PL)谱,得到两个发光峰(记为I1,I2 ),分析认为高能侧的峰为Zn0.9Cd0.1Te浅阱峰,而低能侧的峰为ZnSe0.2Te0.8深阱层的发射.对样品进行了变激发强度的PL谱测量, 当激发强度增加时,PL谱中两个发光峰的比值(I2/I1)开始时迅速增加,然后缓慢减小.这是由于浅阱中的电子和空穴隧穿入深阱中导致空间电荷的分离,从而在复合量子阱结构中产生了一个内建电场所引起的.