一种新的高成品率InP基T型纳米栅制作方法

• 作者: 刘明 刘训春 张海英 王云翔 石华芬 陈宝钦
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构 InP PHEMT 电子束曝光 T型纳米栅
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 411-415
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2272字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.04.016

摘要

提出了一种新的PMMA/PMGI/PMMA三层胶复合结构,通过一次对准和电子束曝光、多次显影在InP PHEMT材料上制作出高成品率的T型纳米栅.在曝光显影条件变化20%的情况下,InP HEMT成品率达到80%以上;跨导变化范围在590～610mS/mm,夹断电压为-1.0～-1.2V,器件的栅长分布均匀.这种新的结构工艺步骤少,工艺宽容度大,重复性好,大大提高了纳米栅器件的成品率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘明	中国科学院微电子中心	207	1983	20.0	38.0
2	张海英	中国科学院微电子中心	114	574	11.0	17.0
3	陈宝钦	中国科学院微电子中心	50	361	11.0	16.0
4	刘训春	中国科学院微电子中心	43	222	9.0	11.0
5	石华芬	中国科学院微电子中心	4	36	4.0	4.0
9	王云翔	中国科学院微电子中心	8	36	5.0	5.0