新型垂直腔半导体光放大器中有效腔长的理论分析

• 作者: 吕鸿昌 姚海峰 潘炜 罗斌
• 来源期刊: 激光杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直腔半导体光放大器 有效腔长 相位渗透
• 年，卷（期）: 2003,（6）
• 所属期刊栏目: 激光器件与原件
• 页码范围: 9-10
• 页数: 2页
• 分类号: TN72
• 字数: 2234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0253-2743.2003.06.004

摘要

从新型垂直腔半导体光放大器(VCSOAs)典型的对称模型出发,分析了入射光在微腔中的分布布喇格反射器(DBRs)上由于反射延迟而导致相位渗透,进而增加了有源区的额外长度(有效腔长).计算得出了相位渗透深度随DBRs相对折射率差变大而变小,同时给出了反射模下VCSOAs增益峰值、增益带宽积随有效腔长变大而下降的规律.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘炜	西南交通大学计算机与通信工程学院	210	1270	17.0	25.0
3	罗斌	西南交通大学计算机与通信工程学院	196	1240	15.0	26.0
4	吕鸿昌	西南交通大学计算机与通信工程学院	17	115	6.0	9.0
7	姚海峰	西南交通大学计算机与通信工程学院	3	16	2.0	3.0