在双镶嵌铜互联中O.13微米器件生成用的基于PVD和ALD阻挡层的先进技术

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篇名	在双镶嵌铜互联中O.13微米器件生成用的基于PVD和ALD阻挡层的先进技术
来源期刊	半导体技术	学科	工学
关键词
年，卷（期）	2003,（4）	所属期刊栏目	专题报道(芯片生产工艺技术)
研究方向		页码范围	42-46
页数	5页	分类号	TN3
字数		语种	中文
DOI