一种紧缩型的SOI 3-dB多模干涉耦合器

• 作者: 严清峰 余金中 刘忠立
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 多模干涉耦合器 线锥形波导 SOI
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 133-136
• 页数: 4页
• 分类号: TN252
• 字数: 444字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2003.02.005

摘要

采用线锥形结构,在silicon-on-insulator (SOI)材料上设计并实现了一种新的紧缩型3-dB多模干涉耦合器(MMI).与普通的矩形结构3-dB MMI耦合器相比,该器件长度减少了40%.耦合器输出均衡度为1.3dB,过剩损耗为2.5dB.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘忠立	中国科学院半导体研究所微电子中心	77	412	12.0	14.0
2	余金中	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	110	703	13.0	21.0
3	严清峰	中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室	14	108	6.0	10.0