BiCMOS器件应用前景及其发展趋势

• 作者: 史宜巧 成立 王振宇 高平
• 来源期刊: 电讯技术
• 学科: 工学
• 关键词: 双极互补金属氧化物半导体器件 混合微电子技术 工艺结构 典型应用 发展趋势
• 年，卷（期）: 2003,（4）
• 所属期刊栏目: 专题述评
• 页码范围: 9-14
• 页数: 6页
• 分类号: TN433
• 字数: 5231字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-893X.2003.04.002

摘要

为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度,综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平,并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果,讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	成立	江苏大学电气与信息工程学院	168	1567	21.0	32.0
2	王振宇	江苏大学电气与信息工程学院	81	628	15.0	21.0
3	高平	江苏大学电气与信息工程学院	26	277	9.0	16.0
4	史宜巧	江苏大学电气与信息工程学院	6	91	5.0	6.0