Si纳米量子点的LPCVD自组织化形成及其生长机理研究

• 作者: 宫崎诚一 彭英才 池田弥央
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si纳米量子点 LPCVD 自组织化形成 生长机理
• 年，卷（期）: 2003,（12）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 3108-3113
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3653字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2003.12.030

摘要

采用低压化学汽相沉积(LPCVD)方法,依靠纯SiH4气体分子的表面热分解反应,在由Si-O-Si键和由Si-OH键终端的两种SiO2表面上,自组织生长了Si纳米量子点.实验研究了所形成的Si纳米量子点密度随SiO2表面的反应活性位置数、沉积温度以及反应气压的变化关系.依据LPCVD的表面热力学过程,定性地分析了Si纳米量子点的形成机理.研究结果对具有密度分布均匀和晶粒尺寸可控的Si纳米量子点的自组织生长,以及Si基新型量子电子器件的制备具有重要的实际意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	彭英才	河北大学电子信息工程学院	103	593	12.0	19.0