ICP刻蚀技术及其在光电子器件制作中的应用

• 作者: 余金中 樊中朝 陈少武
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: 刻蚀 电感耦合等离子体 光电子器件
• 年，卷（期）: 2003,（2）
• 所属期刊栏目: 光子束技术
• 页码范围: 21-28
• 页数: 8页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 6448字
• 语种: 中文

摘要

简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀设备的结构和刻蚀机理，报道了ICP刻蚀硅、二氧化硅和Ⅲ-V族材料的一些最新进展，重点介绍ICP刻蚀技术在光电子器件制作方面的进展和应用前景。

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余金中	中国科学院半导体研究所	110	703	13.0	21.0
2	樊中朝	中国科学院半导体研究所	13	220	8.0	13.0
3	陈少武	中国科学院半导体研究所	39	387	9.0	19.0